一、应用领域
设计用于中温 CVD 工艺。如 ZnO 纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导
电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。
二、技术指标
设备型号： KCVD(D)-250/750/3
*温度： 1050℃
工作温度： RT～1000℃
加热区长度： 750mm
炉管实际尺寸： Φ250（外径）×1750mm （高纯气炼石英管）
炉膛材料： 氧化铝、高铝和硅酸铝纤维制品
控制温区个数： 3 个，K 分度热偶
控温精度： ±1℃，单回路智能 64 段程序仪表控制，PID 参数自整定
整个升温过程中温度过冲不超过±5 度
加热元件： FEC 陶瓷纤维加热器，瑞典进口 Kanthal 发热丝
*加热功率： 18Kw
空炉保温功率： 约 7Kw
升温速率：≤75min（900℃）
气氛系统：3 炉气体（氮气、氧气、氩气）浮子流量计控制
输入动力电源： 三相电源，50HZ ，380V±10%
炉体表面温升： ≤35℃。
外形尺寸：约 1750*1200*830（L*H*W）
三、结构介绍
KCVD(Z)-250/750/3 中温气氛管式炉炉管总长约 1.75 米，加热区长度为
750mm。加热元件采用进口电阻丝微露陶瓷纤维板（FEC）加热，*加热功率 18kw。 两端保温区长各 170mm。炉管一端可同时通入 3 路气体进入混合罐通入炉膛，气体流量用浮子或质量流量计控制，另一端接排气阀。
